嘉宾：新能源汽车电子芯片专家
KeyTakeaways
升级V对整车的影响：
1）功率模块：方案选择上倾向于SiC,性能更好
2）电池一致性要求更高
3）线束、连接器的变化，绝缘要求高
V为什么倾向于SiC的功率模块：
1）体积小、耐压强、效率高，逆变器角度成本有优势
2）现在价格是IGBT的3倍，从英飞凌HDP方案到块
3）降低系统成本，续航提升4%-5%,电池部分可节约3k元左右、冷却系统节约1k元左右
4）规模化量产之后成本会更低，SiC是未来的一个方向
国内外SiC企业的发展进度：
国外：欧洲就是瑞典的Norstel是做衬底和外延；英飞凌是外延、芯片、封装；ST是芯片和外延，封装买Norstel和科锐的，博世也在做晶圆、丹佛斯做封装。日本是住友，罗姆是全产业链IDM模式、三菱电机。美国做的是科锐做衬底、外延和芯片，奥瑞是衬底和外延，芯片、封装是安森美还有一个博格华纳下面的公司。国内：三安是全产业链去做，当年设备没到位，后面设备到位以后基本具备全产业链，但是跟国外比技术还是差一些的，华大半导体其实在在临港建了一个6寸线的基塔，还有在香港有一个阿尔法APS的设计公司，全产业链主要就是厦门的三安和华大半导体，还有一家世纪精光主要是外延和衬底，但他们在汽车领域没有很多导入。
Q、升级V对整个系统零部件新的要求？
我们目前电压平台都是V-V之间，考虑到未来快充V,现在很多车还有一些里程焦虑问题，之前的理想ONE包括现在小鹏推出的G9,和蔚来的换电方案都在尝试解决这个问题，最核心的问题就是解决里程焦虑和充电速度慢的问题。像特斯拉的KW的超级快充，现在小鹏G9的最新方案做到了KW以上就是5c充电，10分钟可以到达公里的情况。
前段时间我们都是讨论V,V的功率半导体国产化还没有结束，V趋势也来了。影响主要是电驱，电池也有相关性，电驱的SIC使用也是一个要点，SIC主要是耐高温性，运行温度可以达到度，传统的硅是度，对于冷却系统的要求相对来说要好一点，耐压特性特别好，还有一个低开关损耗，这一点不仅仅是V的使用，V的也在用。V平台带来的变化：1）Powermodule;2）对电池的一致性要求也非常高；
3）线束、接插件的变化非常大，因为线束本身材质用的更少，但是耐压绝缘和接插件的可靠性难度更大，包括隔离芯片也会产生很大的变化。关于powermodule,大家可能会说硅也能做到V以上的应用，SIC可以做到V以上，在这个过程中没有用到硅主要有几个原因：1）因为本身SIC功率密度高于硅的功率密度，2）硅的芯片体积会更大，模块的体积会更大,3）还有就是成本的边界效应不是那么明显，不像V对比的时候优势大，还有效率本身高压以后损耗更大。
V的SIC的IGBT的使用在V并不具有优势，1V的SIC就成了必然的选择：
1）优势体积小，耐压能力强、效率高，逆变器角度有成本优势。
2）模块价格增加了3-4倍左右，英飞凌HPD在-元，用了SIC以后就到了的价格。
3）用SiC还有一个优势就是系统成本，从整车厂的角度来说整车成本会发生一些变化，比如80KW的电池，根据NEDC的计算，续航里程可以提升4%-5%左右,也就是说可以节约4-5千块左右。目前电池价格也在不断下降，从0年以来到现在有80%的下降，电池可以降-0元，考虑到冷却系统也会降元，整体来看可以降低0-元左右，有一些材料可以降到元/斤，实际上电池的减小会更多。
总体来说用了SIC相比V条件下的应用也有一些优势，要考虑到未来电池成本的降低和未来SIC产能上去以后成本降低，整个产品的优势会更加明显，目前来看一定会是个优势,续航里程增加，效率提升，整体体积能到20%-25%的减少,V以后系统的成本会降低的更多，SIC应用在高压下更明显，高功率下效率提升更多，性能提升会更多，如果用硅来做更没有优势，SIC是未来的一个方向。
Q、V的架构下硅基IGBT和SIC的MOS方案价格上的差异？
1）续航里程NEDC标准提升4-5%,逆变器和电驱动的效率可以从89%提升到91%,整体提升可以有6-7%的提升，驱动功率相同的情况下是这个成果。
2）随着续航里程提升，SIC本身的逆变器的价格会上升，现在硅基的价格很便宜,现在用英飞凌的HPD—个-元，用SIC的价格至少三倍，就是元,无形加了元左右。如果在相同的续航里程的情况下，电池可以节省4KWH,电池是元，增加了元，还有是节省下来的，用SIC效率的提升和系统成本的降低可以节省元，结合冷却系统也能节省元,可以做到0-元的降低，从价值体系是这样的。我们要做一个相同性能下的产品，SI和SIC的优势。
Q、V硅基IGBT和V对比成本和性能的变化？
V以后性能是会好的，电池解决快充问题，成本是增加的。SIC价格增加是必然的。V以后，接插件及线束的节省，电流降一半线束也会省-0元左右，刚刚说的价格整体上V系统会比V用硅方案会多多元左右，但是电池串并联带来的不均衡型带来的成本增加也要考虑，V以后电池的一致性要求会更高。
Q、SIC在V电压架构和V电压架构区别？
晶圆大小没有太大的差别，耐压等级上去，需要晶圆的厚度和耐压能力更强。甚至V用的更多，V里的SIC可能是耐压绝缘特性，在外部绝缘驱动也会增加一些成本，不会很多，几十元到-元，会增加一些，不会那么明显，SIC本身会增加一些价格。
Q、以后我们电动车中高端的车型往SIC升级，中低端停留在硅基IGBT,SIC与硅基成本差异？
现在看高端车大功率就是性能的区别，像保时捷Taycon,国内解决续航里程的问题新势力造车，30万以上的车型都会上这个东西，比如理想S系列在年会上V的，必须用V解决。渗透率不一定是高端车，30万左右也会上，取决于SIC产能是不是已经够了。大功率快充是不是真正解决续航里程焦虑问题，如果有强制性的需求，那就不止止是高端车了。未来SIC和硅的比例，-年左右SIC的渗透率不会超过20%,剩下80%是IGBT模块。
Q、为什么不能替代的理由？
年的比例会更高，不仅仅是本身基数的优势，还有市场效应问题，不会剩下的去替代的，很快就会全部走向SIC的方案。全球的产能SIC每年产能60万片左右,特斯拉万台如果全部用SIC,就全部用掉了，特斯拉不是所有的车型都是SIC方案，也就1/3是用的。
Q、产能还是卡在衬底，所以国内国夕所产很慢？
目前整个技术还是在科锐(CREE),罗姆，杜有等手上，国内的厦门三安，世纪星光也有一些机会，国内都在慢慢成熟，但是跟他们比还是有很多差距的。
Q、以后成本差异趋势？
成本一定会贵，产能再高也不会便宜，硅本身就是晶圆提纯，相对比较简单，产量本身就比较低，生长速度非常慢，目前是3-5倍的价格，未来5-6年可能1.5倍的价格左右，就达到平衡了，因为硅的产量已经足够大了，就看SIC产量上去之后带来的边际效应，1.5倍就是增加50%左右。
Q、SIC模块是硅基的两倍，时间点是由什么影响的？
目前产能释放，规划到-年才能释放，预计-才能达到价格趋势，SIC的良品率是远低于硅的，技术升级和良品率也帮助价格提升的。
Q、60万片的SIC的产能是4寸片？
是的。
Q、硅基本身也是有8-12的转化，硅基本身也在降价，SIC也在降价，年产能释放，到时候价格还是在硅基的2倍以上？
英飞凌和国内的华虹12英寸线已经上了，硅基价格已经到了一个瓶颈了，英飞凌第七代出来价格是降了一些但是降的不是特别多。
Q、除了SIC成本端，技术端的可靠性的问题？
SIC本身的可靠性是有很大的挑战，不像IGBT本身的硅的晶圆的面积比较大，热熔非常大，短路能力比较强，SIC热阻比较大，热熔比较大，瞬态电流能力比较弱，IGBT能扛6微秒的短路性能，SIC2微秒不至U,瞬态电流过大SIC可能有失效的风险。可靠性在应用，驱动电压大小，抗干扰能力，由于变化速率很快，对电机要求也会更高，也是技术挑战，也是一个风险。
Q、生产端上SIC,对IGBT制造商难度下降？技术难度没有下降的，会更大的。
Q、IGBT本身有BJT和三极管的结合，换成SIC只是一个MOS管？IGBT本身是
一个电流型驱动，加了一个MOS管帮助驱动，这都是很成熟的工艺，主要还是功率级的IGBT,前面的MOS是一个功率不是特别大的，是帮助驱动的放大作用，IGBT可以看到三极管。
Q、氮化稼弯道超车？
不太可能，电压不会上去，扛耐压能力是跟距离相关的，扛耐压很高会距离非常大,就没有优势了。而且基本没有扛段路能力的，也没有M级吸收能力，所以不支持大功率的使用，氮化稼是高频电源产品的使用，在工业级像文泰会做一些这样的产品,像电驱动做了一个20KW的驱动电机产品，用也是V平台的A00级车使用。
Q、V平台使用SIC的进展？国内用的不是特别多，主要是特斯拉的Models和ModelYV平台用这种产品，国内都是往V走的，像小鹏G9和比亚迪汉EV都是往这个方向走的，至少V在国内的SIC大规模批产不会太多。
Q、与V方案相比，特斯拉大电流增压方案成本更低，特斯拉的迭代方案，SIC会不会升到V?
特斯拉的充电方案和市场上的充电方案是不一样的，他的最大的充电功率是V30的KW的功率，电流已经很大了，是采用水冷的冷却方案，但是充电时间也要用到30分钟，因为恒功率允许充电时间不是很多,SOC30%-40%以后会降额oV方案以后，快充功率能到-KW,基本10分钟就能冲到KM的情况，目前看特斯拉并没有新的V的方案出来。
Q、如果用V的大电压快充和特斯拉的V的大电流快充成本比较？需要有一个很好的冷却系统，模块很多像英飞凌50-60KW的SIC方案已经出来了,模块成本看功率，SIC体积变小，效率更高，硅的快充方案和SIC的快充方案相比,SIC依然会贵1.2倍，因为SIC整体的边际效应，体积会降很多，用的器件更少，水冷用SIC以后就不用了也是一个问题，目前还没有定论，将来可能也会用，因为充电线路损耗非常大，水冷以后不会少，总体来说SIC充电端的价格一定会增加。
Q、SIC国产厂家，各家企业进度？国外：欧洲就是瑞典的Norstel是做衬底和外延；英飞凌是外延、芯片、封装；ST是芯片和外延，封装买Norstel和科锐的，博世也在做晶圆、丹佛斯做封装。日本是住友，罗姆是全产业链IDM模式、三菱电机。美国做的是科锐做衬底、外延和芯片，奥瑞是衬底和外延，芯片、封装是安森美还有一个博格华纳下面的公司。
国内：三安是全产业链去做，当年设备没到位，后面设备到位以后基本具备全产业链，但是跟国外比技术还是差一些的，华大半导体其实在在临港建了一个6寸线的基塔，还有在香港有一个阿尔法APS的设计公司，全产业链主要就是厦门的三安和华大半导体，还有一家世纪精光主要是外延和衬底，但他们在汽车领域没有很多导入。
衬底本身主要是山东天岳，外延是东莞天昱和厦门的瀚天天成，芯片是中电55所和深圳基本半导体，台湾的翰兴科技是芯片设计公司，性能和产品是非常不错的，是分立器件后面也在做模块，是全部汽车认证的，泰科的二极管在年已经经过国际车企认证了。
封装斯达用科锐的芯片给小鹏G9供的V方案，杭州士兰微也在发力，目前还是在封装这一块，国内有3家比较完整，目前来看三安在上汽系里面做认证和认可,但是还没有上到车企，华大在充电桩里占的量还是比较大的，翰兴在DCDC和充电桩里面还有很大的量。
Q、SIC相对于IGBT体积减小比例多少？
KW的逆变器要10-20公斤，体积和重量减小要20%-30%左右，重量优化是对一体车身的优化，这样的降10几斤对整体的续航里程提升不是特别大。
Q、中低端车IGBT的渗透率水平？
中低端的车像A00级车的80V的方案还用分立的MOS在做，也有在用分立的IGBT来做，但是A0级以上%都是在用IGBT来做。
Q、中电做的器件也挺好的，中电科、三安这几家哪家做的好？
中电55所做的时间比较长了，但是衬底和外延是买的，有一条6寸的生产线，还有一条4寸线，做外延和芯片设计和生产，中电产业链布局优势中等，技术能力很优秀，汽车技术认证基本没有。三安目前来看，产發布局比较完整，产品出货不是特别多，技术能力中等偏上、汽车认证中等偏上,综合下来还是非常靠前的。
Q、V升到V,DCDC的功率半导体成本会有变化吗？
它主要是有两块，第一个是主区单元，叫做抛券。第二个是供电单元，分为两块,第一块是充电机（充电宝）；第二个是高压转低压的直流变嬲，也就是DCDC。
充电机会有很大的变化，电压升高V以后,V的硅方案基本上就不会使用了，所以就会通过碳化硅的方案做。11KW的充电机会用SIC的方案，充电机从全硅方案向SIC转移，价值量会直接转移。如果是KW,后期是V,可能会好一些,用1V的SIC去做。
DCDC电池至U了V以后，考虑到高频特性，V的IGBT也不能选（效率太低），还是要选SIC的方案。所以从V到V以后，充电里的关键功率器件70%以上都要换成SIC的方案。
Q、会有哪些主流厂家参与到V当中，包括OEM和供应商？
主流的玩家今年是小鹏，年是理想one,-年才是产品大年，包括东风岚图、北汽等，但是目前没有看到可以量产的车型。理想ONE是最迫切的，-年一定会量产电动车（V）。主流厂家的布局主要是斯达跟科锐的合作（小鹏），还有就是士兰微（并无客户信息），海外主要是英飞凌和博世，博世给理想开发，小米在年是做V的（重点
